原子层沉积设备（ALD）
发布时间：2025-06-09
设备名称：原子层沉积设备（ALD）
设备型号：Exploiter E200SP
工艺类别：材料生长（薄膜）
主要用途：用于制备氧化物介质薄膜，包括Al2O3、SnO2等及复合薄膜。具有良好的均匀性和沉积精度，能够应用于高分辨率和高性能的器件制造。
技术指标：
1. 样品尺寸：210mm*210mm及以下
2. 基底控温温度：RT-500℃
3. 腔室温度：RT-150℃
4. 反应前驱体配置：配备源系统4个，加热源系统3个（TDMASn等），常温源系统2个（H2O、TMA）、等离子体气态源系统1个（O2）
5. RF功率：30-1000 W，射频电源，频率13.56 MHz
收费标准：600元/小时 (1小时起约)
苏公网安备 32059002003194号